YAG（Ce）闪烁晶体

高电子转换效率
良好的机械性能和热导率
最大晶体尺寸：ɸ80mm x 200mm
可选涂层：Al、Ag、Au 和保护性 SiO2 层
应用：SEM、超薄成像屏幕、电子成像、β 射线和 X 射线计数器、离子束成像
薄 Ce:YAG 屏幕也可用：最小厚度 0.01mm（含基板），0.05mm（独立）

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物理和化学特性：

晶体结构	立方	晶格常数	12.01 Å
熔点	1970℃	莫氏硬度	8.5
密度	4.56±0.04g/cm3	比热	0.59J/g.cm3@0-20℃
弹性模量	310GPa	杨氏模量	3.17×104Kg/mm2
泊松比	0.3	拉伸强度	0.13~0.26GPa
热膨胀系数	[100]:8.2×10-6/℃@ 0~250℃	热光系数(dn/dT)	7.3×10-6/℃
	[110]:7.7×10-6/℃@0~250℃
	[111]:7.8×10-6/℃@0~250℃
热导率	14W/m/K@20°C	抗热震性	790W/m
热导率	10.5W/m/K@100°C	抗热震性	790W/m
溶解性	不溶于水，微溶于酸。

闪烁特性：

发射峰值 (nm)	530	光输出 (Ph/MeV)	9000
发射峰值处的折射率	1.82	衰减时间 (ns)	70
品质因数 (LR/t)	138.5	有效原子序数 (Zeff)	35

规格：

生长方法	直拉法	分子式	Y3Al5O12（铈含量：0.1~1.2 at%）
最大尺寸	∅ 80 mm x 200 mm	可选材料	单晶
金属涂层	Al、Au、Ag 等	保护涂层	SiO2

Ce: YAG闪烁晶体具有高光输出（9000Ph/MeV）和快速衰减时间（70ns）等显著特性。此外，YAG(Ce)晶体的发射峰位于560nm，与CCD传感器完美匹配。YAG(Ce)闪烁体在扫描电子显微镜(SEM)、电子成像、β粒子、X射线计数器和成像等各种应用中都占有重要地位。它具有优异的热性能和机械性能，非常适合制造厚度仅为0.01毫米的超薄屏幕。YAG(Ce)晶体对高能电子或离子具有极高的耐受性，使其在高能辐射探测中得到广泛应用。此外，Ce:YAG 还具有大尺寸材料供应充足等优势，所有这些优势使得 Ce:YAG 闪烁晶体成为一种极具代表性的无机闪烁晶体材料。Ce:YAG 晶体的生长和退火工艺决定了其实际性能。

杭州煦和光电提供采用提拉法生长的 YAG(Ce) 单晶闪烁晶体。尺寸最大可达直径 80mmx200mm。此外，还提供铝或银金属涂层以及 SiO2 保护层。 Shalom EO 还可提供 0.05 毫米免打磨超薄 YAG(Ce) 屏幕和 0.01 毫米带基材超薄 YAG(Ce) 屏幕。

应用：

扫描电子显微镜 (SEM)
超薄成像屏幕
电子成像
β、X 射线计数器
离子束成像

Circular YAG(Ce) Scintillation Screens Dia10x0.01mm with UVFS Substrates

Code: 532-001

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Square YAG(Ce) Scintillation Screens 10x10x0.1mm

Code: 532-005

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